MASTERGAN1 High-Density Half-Bridge

Ο οδηγός υψηλής τάσης ημι-γέφυρας πυκνότητας ισχύος της STMicroelectronics περιλαμβάνει δύο 650 V βελτιωμένη λειτουργία GaN HEMTs

Το MASTERGAN1 της STMicroelectronics είναι ο πρώτος οδηγός ημιγέφυρας 600 V με σύστημα GaN HEMT σε πακέτο (SiP) στον κόσμο και το πρώτο στοιχείο της πλατφόρμας MASTERGAN. Το MASTERGAN1 είναι συμπαγές, καθιστώντας δυνατή την υλοποίηση της τροφοδοσίας υψηλής πυκνότητας ισχύος, ακόμη και τέσσερις φορές μικρότερη από την τροφοδοσία με βάση τους διακόπτες MOSFET, χάρη στην υψηλότερη συχνότητα μεταγωγής των GaNs και στην υψηλή ενσωμάτωση τόσο του οδηγού όσο και των δύο διακοπτών GaN στο ίδιο πακέτο. Προσφέρει επίσης στιβαρότητα. Το πρόγραμμα οδήγησης χωρίς σύνδεση έχει βελτιστοποιηθεί για GaN HEMT για γρήγορη, αποτελεσματική και ασφαλή οδήγηση και απλοποίηση διάταξης. Η διαχείριση των διακριτικών διακοπτών GaN μπορεί να είναι δύσκολη, αλλά το ενσωματωμένο πρόγραμμα οδήγησης διαχειρίζεται τους διακόπτες GaN για να απλοποιήσει το σχεδιασμό τροφοδοσίας.