Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Αριθμός εξαρτήματος | RN2116,LF(CT | Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 1883438 pcs stock | Φύλλο δεδομένων | RN2116,LF(CT.pdf |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max) | 50V | VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| transistor Τύπος | PNP - Pre-Biased | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SSM |
| Σειρά | - | Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2) | 10 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1) | 4.7 kOhms | Ισχύς - Max | 100mW |
| Συσκευασία | Tape & Reel (TR) | Συσκευασία / υπόθεση | SC-75, SOT-416 |
| Αλλα ονόματα | RN2116(T5L,F,T) RN2116(T5LFT)TR RN2116(T5LFT)TR-ND RN2116,LF(CB RN2116,LF(CTTR RN2116LF(CBTR RN2116LF(CBTR-ND RN2116LF(CTTR |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατασκευαστής Standard Lead Time | 16 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Συχνότητα - Μετάβαση | 200MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max) | 500nA | Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max) | 100mA |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
