Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Αριθμός εξαρτήματος | TK100E06N1,S1X | Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET N CH 60V 100A TO-220 | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 78022 pcs stock | Φύλλο δεδομένων | TK100E06N1,S1X.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-220 |
| Σειρά | U-MOSVIII-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 50A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 255W (Tc) | Συσκευασία | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-220-3 | Αλλα ονόματα | TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1S1X |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) | τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 30V | Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| FET Τύπος | N-Channel | FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V | Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60V |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 60V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220 | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
