Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.

Σπίτι
Προϊόντα
Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs)
Μνήμη
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
Winbond Electronics CorporationWinbond Electronics Corporation
Αριθμός εξαρτήματος:
W987D2HBJX7E
Κατασκευαστής / Μάρκα:
Winbond Electronics Corporation
περιγραφή προϊόντος:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Φύλλα δεδομένων:
W987D2HBJX7E.pdf
Κατάσταση RoHs:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Κατάσταση αποθεμάτων:
30871 pcs stock
Πλοίο από:
Hong Kong
Τρόπος αποστολής:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
Λήψη PDF Λεπτομέρειες προϊόντος

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας. Κάντε κλικ στο "SUBMIT RFQ"
, θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σύντομα μέσω email. Ή στείλτε μας email: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 30871 pcs Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

  • 240 pcs
    $0.974
Ενδεικτική τιμή(USD):
Ποσότητα:
Δώστε μας την τιμή-στόχο σας εάν οι ποσότητες είναι μεγαλύτερες από αυτές που εμφανίζονται.
Σύνολο: $0.00
W987D2HBJX7E
Όνομα Εταιρίας
όνομα επαφής
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Μήνυμα
W987D2HBJX7E Image

Προδιαγραφές του W987D2HBJX7E

Winbond Electronics CorporationWinbond Electronics Corporation
(Κάντε κλικ στο κενό για να κλείσετε αυτόματα)
Αριθμός εξαρτήματος W987D2HBJX7E Κατασκευαστής Winbond Electronics Corporation
Περιγραφή IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Διαθέσιμη ποσότητα 30871 pcs stock Φύλλο δεδομένων W987D2HBJX7E.pdf
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page 15ns Τάσης - Προμήθεια 1.7 V ~ 1.95 V
Τεχνολογία SDRAM - Mobile LPSDR Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 90-VFBGA (8x13)
Σειρά - Συσκευασία Tray
Συσκευασία / υπόθεση 90-TFBGA Θερμοκρασία λειτουργίας -25°C ~ 85°C (TC)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) 3 (168 Hours)
Τύπος μνήμης Volatile Μέγεθος μνήμης 128Mb (4M x 32)
Διασύνδεση μνήμης Parallel Μορφή μνήμης DRAM
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS Lead free / RoHS Compliant Λεπτομερής περιγραφή SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
Συχνότητα ρολογιού 133MHz Χρόνος πρόσβασης 5.4ns
ΤΕΡΜΑΤΙΣΜΟΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ

Σχετικά προϊόντα

Σχετικές ετικέτες

Καυτές πληροφορίες