AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Αριθμός εξαρτήματος | NTMD6N03R2G | Κατασκευαστής | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Περιγραφή | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 163059 pcs stock | Φύλλο δεδομένων | NTMD6N03R2G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 8-SOIC |
| Σειρά | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| Ισχύς - Max | 1.29W | Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Αλλα ονόματα | NTMD6N03R2GOS NTMD6N03R2GOS-ND NTMD6N03R2GOSTR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) | τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) | Κατασκευαστής Standard Lead Time | 12 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 30nC @ 10V | FET Τύπος | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Χαρακτηριστικό | Logic Level Gate | Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Αριθμός μέρους βάσης | NTMD6N03 | ||
| FEDEX | www.FedEx.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| UPS | www.UPS.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
| TNT | www.TNT.com | Από 35,00 $ το βασικό τέλος αποστολής εξαρτάται από τη ζώνη και τη χώρα. |
